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Protemics社製テラヘルツ測定関連製品/新規取り扱い開始のお知らせ
株式会社光響
開株式会社光響は、Protemics GmbH社(以下「Protemics社」)のテラヘルツ測定関連製品取り扱いを開始いたしました。
Protemics社は、ドイツのAMO GmbHおよびアーヘン工科大学半導体電子工学研究所からスピンオフした、テラヘルツ(THz)技術の研究開発に特化した企業です。同社は、テラヘルツ技術、半導体プロセシング、オプトエレクトロニクスシステムおよびソフトウェア設計、アプリケーションエンジニアリング、ビジネス開発の専門家からなる学際的なチームを擁し、テラヘルツ周波数帯域を利用した測定製品の開発と製造を行っています。
当社では、Protemics社が手掛けるテラヘルツ近接場スキャン一体型システム「TeraCube Scientific」、0 - 4 THz周波数帯、空間解像度最大3 μmに対応したテラヘルツ測定用マイクロプローブ「TeraSpike」シリーズをはじめとする製品群を取り扱い、テラヘルツ技術を活用した高精度な計測ソリューションを提供いたします。半導体製造プロセスのインライン検査や、ナノスケール材料の特性評価など、先進的な研究開発や産業用途での活用が期待されます。詳細は当社ウェブサイトをご覧ください。
■URL
https://www.symphotony.com/manufacturers/protemics/
■お問い合わせ先
株式会社 光響 グローバルソーシング部
担当:菱田
お問い合わせフォーム:https://www.symphotony.com/other_contact/
Tel : 070-6925-5558(平日9時~18時、土日祝日は除く)
メール:gs@symphotony.com
当社では、今回紹介のProtemics社製品以外にも300社を超える海外メーカー、10万点以上のレーザー・光学関連製品を取り扱っています。ご要望ございましたらお気軽にお問い合わせください。
■製品イメージ

(左)テラヘルツ測定用マイクロプローブ「TeraSpike」シリーズ
(右)テラヘルツ近接場スキャン一体型システム「TeraCube Scientific」
■ テラヘルツ測定イメージ

(左)パルス励起されたテラヘルツメタマテリアル表面の近接場イメージ測定結果
(右)多結晶シリコンウェハの面内導電率イメージの測定結果
■主要仕様(TeraSpike TD-800-Xシリーズ)

(*) 焦点径が約20 µm、バイアス電圧1 V、平均光励起パワー3 mWの場合。
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開株式会社光響は、Protemics GmbH社(以下「Protemics社」)のテラヘルツ測定関連製品取り扱いを開始いたしました。
Protemics社は、ドイツのAMO GmbHおよびアーヘン工科大学半導体電子工学研究所からスピンオフした、テラヘルツ(THz)技術の研究開発に特化した企業です。同社は、テラヘルツ技術、半導体プロセシング、オプトエレクトロニクスシステムおよびソフトウェア設計、アプリケーションエンジニアリング、ビジネス開発の専門家からなる学際的なチームを擁し、テラヘルツ周波数帯域を利用した測定製品の開発と製造を行っています。
当社では、Protemics社が手掛けるテラヘルツ近接場スキャン一体型システム「TeraCube Scientific」、0 - 4 THz周波数帯、空間解像度最大3 μmに対応したテラヘルツ測定用マイクロプローブ「TeraSpike」シリーズをはじめとする製品群を取り扱い、テラヘルツ技術を活用した高精度な計測ソリューションを提供いたします。半導体製造プロセスのインライン検査や、ナノスケール材料の特性評価など、先進的な研究開発や産業用途での活用が期待されます。詳細は当社ウェブサイトをご覧ください。
■URL
https://www.symphotony.com/manufacturers/protemics/
■お問い合わせ先
株式会社 光響 グローバルソーシング部
担当:菱田
お問い合わせフォーム:https://www.symphotony.com/other_contact/
Tel : 070-6925-5558(平日9時~18時、土日祝日は除く)
メール:gs@symphotony.com
当社では、今回紹介のProtemics社製品以外にも300社を超える海外メーカー、10万点以上のレーザー・光学関連製品を取り扱っています。ご要望ございましたらお気軽にお問い合わせください。
■製品イメージ

(左)テラヘルツ測定用マイクロプローブ「TeraSpike」シリーズ
(右)テラヘルツ近接場スキャン一体型システム「TeraCube Scientific」
■ テラヘルツ測定イメージ

(左)パルス励起されたテラヘルツメタマテリアル表面の近接場イメージ測定結果
(右)多結晶シリコンウェハの面内導電率イメージの測定結果
■主要仕様(TeraSpike TD-800-Xシリーズ)

(*) 焦点径が約20 µm、バイアス電圧1 V、平均光励起パワー3 mWの場合。
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